DDR3 UDIMM 内存条

HEROSYS 所推出之工业级 DDR3 UDIMM（Unbuffered DIMM）内存条模块，严格依循 JEDEC 标准设计，专为桌上型计算机、工业计算机与嵌入式应用所打造。模块采用国际一线品牌 DRAM 原厂芯片（镁光、SK 海力士、三星），并经过完整功能验证与长时间稳定性测试，确保在多变与严苛环境下依然维持绝佳可靠度。

HEROSYS DDR3 模块同样强调环保与耐用，通过 RoHS 无铅与无卤规范，并可选配 敷形涂料、底部填充与抗硫化保护，提升产品于高湿、高污染环境中的耐受力，是工控与嵌入式应用中可靠稳定的内存条选择。

优势/特点

• 采用DRAM原厂高质量DDR3 DRAM芯片（镁光/SK海力士/三星）

• 无On-DIMM温度传感器

• PCB 高30.00mm，针脚间距1.0mm (pin)

• 240-pin 插槽双列直插式内存条模块 (DIMM)

• VDD= 1.35V (+0.1V ~ -0.067V) / 1.5V(± 0.075V)

• IC表面温度：0°C至85°C

• 0°C到85°C行刷新周期：7.8μs

• 无铅 (符合RoHS)

• 无卤

• 敷形涂料 / 底部填充 (选用)

• 抗硫化 (选用)